尾田 秀一 | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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概要
関連著者
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合
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岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合
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尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合
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尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合
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篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合
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篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
著作論文
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)