完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI (SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタと比較した. SOTBトランジスタではバルクトランジスタと比較してドレイン電流ばらつき大幅に抑制できることを実測で示し,その原因がV_<TH>ばらつきの低減および電流立ち上がり電圧(COV)の低減であることを明らかにした.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-26
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合
-
岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合
-
尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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