P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
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概要
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薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし,超低電圧領域で起こる伝播遅延時間(τ_<pd>)ばらつきの急増が大きな課題である。本研究では,様々な論理回路のダイ間遅延ばらつきの抑制のために,P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御を提案し,実証した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-22
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合
-
岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合
-
尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山口 泰男
超低電圧デバイス技術研究組合
-
石橋 孝一郎
電気通信大学
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