塚本 康正 | 株式会社ルネサステクノロジ

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概要

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• 株式会社ルネサステクノロジの論文著者

関連著者

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 今岡 進

  株式会社ルネサスデザイン

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター

• 山上 由展

  松下電器産業

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 山上 由展

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 石橋 孝一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 新居 浩二

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  ルネサステクノロジ

• 吉澤 知晃

  ルネサステクノロジ

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  ルネサスデザイン

• 鈴木 利一

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 鈴木 利一

  松下電器産業

• 柴山 晃徳

  松下電器産業株式会社

• 今岡 進

  (株)ルネサスデザイン

• 石倉 聡

  松下電器産業

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 寺野 登志夫

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 竹内 雅彦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 和宏

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  ルネサステクノロジ

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体先行開発センター

• 赤松 寛範

  松下電器産業

• 里見 勝治

  松下電器産業

• 寺野 登志夫

  松下電器産業

• 寺野登 志夫

  松下電器産業

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 里見 勝治

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 篠原 尋史

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 石橋 孝一郎

  ルネサステクノロジ

• 増田 康浩

  ルネサスデザイン

• 五十嵐 元繁

  ルネサステクノロジ

• 冨田 和朗

  ルネサステクノロジ

• 坪井 信生

  ルネサステクノロジ

• 吉澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院工学研究科

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 大芦 敏行

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 国清 辰也

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部

• 岩出 秀平

  三菱電機(株)システムlsi開発研究所

• 岩出 秀平

  大阪工業大学

• 平野 有一

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 一法師 隆志

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター

• 牧野 博之

  三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 国清 辰也

  株式会社ルネサステクノロジ生産本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 前川 考志

  ルネサスエレクトロニクス

• 五十嵐 元繁

  ルネサスエレクトロニクス

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 石川 清志

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 小田 祐士

  (株)シキノハイテック

• 古澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 長田 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 永久 克己

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 宮崎 裕行

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 長田 健一

  株式会社日立製作所

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 長田 健一

  (株)日立製作所 中央研究所

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著作論文

• ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
• 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 招待講演 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 (集積回路)
• SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法 (集積回路)

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