塚本 康正 | 株式会社ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
著作論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)