国清 辰也 | 株式会社ルネサステクノロジ生産本部
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概要
関連著者
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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国清 辰也
株式会社ルネサステクノロジ生産本部
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
三菱電機(株)
著作論文
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nm級SoCプロセス対応配線キャラクタライズ手法(タイミング解析)(システムLSIの設計技術と設計自動化)