国清 辰也 | 株式会社ルネサステクノロジ生産本部
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概要
関連著者
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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国清 辰也
株式会社ルネサステクノロジ生産本部
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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石川 清志
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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国清 辰也
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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小谷 教彦
広島国際大学 社会環境科学部
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岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
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小谷 教彦
広島国際大 社会環境科学
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渡邉 哲也
株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部
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金本 後幾
株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部
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白田 光利
株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部
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味岡 佳英
株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部
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石川 清志
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
三菱電機(株)
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
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岩出 秀平
三菱電機(株)システムlsi開発研究所
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岩出 秀平
大阪工業大学
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永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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国清 辰也
(株)ルネサステクノロジ
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園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
(株)ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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國清 辰也
(株)ルネサステクノロジ
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渡邊 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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金本 俊幾
(株)ルネサステクノロジ
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朝里 浩靖
(株)ルネサスデバイスデザイン
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白田 光利
(株)ルネサステクノロジ
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味岡 佳英
(株)ルネサステクノロジ
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塚本 康正
三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター
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牧野 博之
三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター
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牧野 博之
大阪工業大学大学院情報科学研究科
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谷沢 元昭
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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太田 和伸
ソニー株式会社
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岡垣 健
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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網城 啓之
三菱電機(株)メモリー事業統括部
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寺井 正幸
大阪学院大学情報学部
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寺井 正幸
株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部
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寺井 正幸
三菱電機株式会杜 半導体基盤技術統括部 Eda技術部
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寺井 正幸
三菱電機
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
著作論文
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nm級SoCプロセス対応配線キャラクタライズ手法(タイミング解析)(システムLSIの設計技術と設計自動化)