MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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微細トランジスタに適用可能な新規移動度測定手法を提案し,Shallow Trench Isolation(STI)からのストレスの移動度への影響を直接評価する.抽出したMOSFET反転層のピエゾ抵抗係数は,バルクのピエゾ抵抗係数と近い値であった.また,BSIM4.3.0などに含まれるストレス効果モデルで,この移動度変化を記述できていることが確認できた.さらに,<100>チャネルMOSFETでは<110>チャネルMOSFETに比べて移動度変化は小さい結果となった.NMOSFETに関しての定量的評価が未だ不十分であるが,<100>方向へレイアウトされたCMOSFETは容易な設計と高性能な回路を実現できる可能性を持つと言える.
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-09-21

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