高速システムLSI対応Cu配線技術

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概要

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半導体デバイスの高集積化、高速化が進むにつれ、多層配線が担う役割はますます重要性が増している。デバイス性能に大きく影響をする配線遅延を低減するために、従来のAI配線に比べ抵抗が約2/3に低減できるCu配線に着目し、その効果的な使用方法について検討した。デュアルダマシンにより形成したCu配線は、プロセス上比誘電率の高いシリコン窒化膜が必要であるため、配線容量が増大し、下層配線に使用する狭ピッチ、短距離配線に対してはスピード面でメリットが引き出せないことがわかった。従って、高密度かつ高速デバイスを構築するために最適な多層配線構造として、下層の狭ピッチ、短距離配線にはAl配線を使用し、上層の広ピッチ、長距離配線には配線抵抗が小さいCu配線を使用する配線構造を提案する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-01-22

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