松田 吉雄 | 金沢大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
松田 吉雄
金沢大学
-
松田 吉雄
金沢大学理工学域電子情報学類
-
深山 正幸
金沢大学理工学域電子情報学類
-
深山 正幸
金沢大学大学院自然科学研究科
-
深山 正幸
金沢大学
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
牧野 博之
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
-
岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
-
岩出 秀平
大阪工業大学
-
吉村 勉
大阪工業大学
-
牧野 博之
大阪工業大学
-
中尾 政史
株式会社ナナオ
-
Nakao Masashi
Eizo Nanao Co.
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
-
松村 哲哉
日本大学
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
-
有本 和民
株式会社ルネサステクノロジ
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
有本 和民
ルネサステクノロジ
-
有本 和民
株式会社ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
-
重松 智志
日本電信電話(株)
-
渡邊 直也
株式会社ルネサステクノロジ
-
堂坂 勝己
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
中田 俊司
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
楠本 崇人
金沢大学自然科学研究科
-
岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
-
小川 大佑
金沢大学
-
堂阪 勝己
金沢大学
-
小川 大佑
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
東郷 康二
金沢大学
-
小松 弘季
金沢大学
-
中田 俊司
Ntt通信エネルギー研究所
-
中田 俊司
Ntt Lsi研究所
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジ設計開発本部システムコア技術統括部
-
堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
-
中西 衛
NTT LSI研究所
-
弓部 良樹
金沢大学
-
井家 佑介
金沢大学大学院自然科学研究科
-
稲田 遼一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
春日 隆文
金沢大学大学院自然科学研究科
-
河合 亮佑
金沢大学
-
吉村 勉
大阪工業大学工学部電気電子システム工学科
-
野坂 陽一
金沢大学
-
志水 泰之
大阪工業大学大学院工学研究科
-
牧野 博之
大阪工業大学大学院情報科学研究科
-
三浦 直樹
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション
-
酒見 議一
大阪工業大学
-
志水 泰之
大阪工業大学
-
田中 伸幸
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
本田 良太
金沢大学
-
中西 衛
日本電信電話(株)
-
浦野 正美
日本電信電話(株)
-
八田 彩希
日本電信電話(株)
-
三浦 直樹
日本電信電話(株)
-
田中 伸幸
日本電信電話(株)
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- C-12-40 3値CAMセルのプルダウントランジスタの構成に関する検討(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- C-12-30 実時間動領域抽出向けアフィン動きモデル推定VLSIプロセッサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-2 分散の係数からみたSRAMの書込みマージンの定義に関する検討(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-23 アフィン動きモデル推定プロセッサ用逆行列計算回路(C-12. 集積回路ABC(ロジック・センサ),一般セッション)
- C-12-14 ビットプレーン並列方式によるJPEG2000 EBCOT回路の開発(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
- C-12-13 JPEG 2000離散ウェーブレット変換回路の高性能化および小面積化(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
- D-12-44 Haar-like特徴とアフィン動きモデル推定を用いた顔器官検出・追跡(D-12.パターン認識・メディア理解,一般セッション)
- 伝達関数の計算によるADPLLの低位相雑音設計
- C-12-30 不一致検出回路を用いた通信用検索エンジンの低消費電力化手法(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)