新居 浩二 | ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

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概要

• 同名の論文著者
• ルネサスエレクトロニクス:金沢大学の論文著者

関連著者

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 松田 吉雄

  金沢大学

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 松村 哲哉

  日本大学

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

著作論文

• 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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