大路 譲 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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上野 修一
(株)ルネサステクノロジ
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倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
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鳴海 俊一
ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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黒岩 丈晴
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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黒岩 丈晴
三菱電機(株)
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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古田 陽雄
(株)ルネサステクノロジ
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前島 伸六
(株)ルネサステクノロジ
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辻 高晴
(株)ルネサステクノロジ
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古賀 剛
(株)ルネサステクノロジ
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古田 陽雄
株式会社ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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鳴海 俊一
(株)ルネサステクノロジ
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倉田 英明
(株)日立製作所
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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平野 有一
三菱電機(株)
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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森 健壱
(株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
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辻 高晴
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
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池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
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小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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土本 淳一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)