クエン酸系エッチャントによるGaAs/AlGaAsヘテロ構造の高選択エッチング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
クエン酸, アンモニア/過酸化水素から構成されるエッチャントのpHおよびクエン酸/過酸化水素の混合比を最適化することにより,GaAs/Al_0.15>Ga_0.85>Asで極めて高い選択比(80)を実現した。X線光電子分光(XPS)法によりエッチング後の試料表面を解析した結果,高い選択比の得られたAlGaAs上には,Al_2O_3が生成していることが分かった。この結果より,エッチング停止のメカニズムはAl_2O_3の生成で説明できる。高い選択比の得られる本技術は,GaAs/AlGaAs系ヘテロ構造電界効果トランジスタの製造に有用である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-21
著者
-
北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
和泉 茂一
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
和泉 茂一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高野 博三
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
北野 俊明
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
生和 義人
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高野 博三
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
関連論文
- AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
- MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- クエン酸系エッチャントによるGaAs/AlGaAsヘテロ構造の高選択エッチング
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- GaAs SAGFETのドレイン電流周波数分散
- 表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET