X線反射干渉解析法による化合物半導体ヘテロ界面、金属半導体界面の分析
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概要
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X線反射干渉解析法により化合物半導体ヘテロ接合界面、金属/半導体接合界面、および表面酸化膜の構造解析をおこなった。本解析法が、TEM断面観察や結晶表面のXPS分析結果との比較により、数Åの膜厚分解能を有し、しかも数十mm^2の二次元平面内での接合界面状況を統計的分布情報として分析できる極めて有効な非破壊・非接触評価評価手法であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
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