4p-L-7 シリコン薄膜の熱的腐蝕II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1967-04-02
著者
関連論文
- X線反射干渉解析法による化合物半導体ヘテロ界面、金属半導体界面の分析
- X線反射干渉解析法による化合物半導体ヘテロ界面、金属半導体界面の分析
- 減圧OMVPEによるAl_Xga_Asの選択成長 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- TEGを用いたGaAs, AlGaAs減圧OMVPE : エピタキシー
- GaAs減圧OMVPEのガス分析 : エピタキシー
- MBE成長GaAs-AlGaAs超格子結晶の熱処理効果
- MBE成長GaAs層へのMgイオン化ドーピング
- MBE成長Al Ga Asの反射電子回折像 : 薄膜
- AlGaAs系化合物半導体の選択成長
- 3a-TA-1 イオン注入による欠陥の観察
- 4p-L-7 シリコン薄膜の熱的腐蝕II
- シリコン薄膜の熱腐蝕 : 結晶成長
- MBE成長GaAs層の熱処理効果 : 薄膜
- シングルモ-ド半導体レ-ザ-
- GaAs-AlGaAs液相エピタキシャル成長層の欠陥生成への酸素の影響(研究ノ-ト)
- GaAs液相エピ成長層への高純度H_2ガス中残留酸素の影響 : エピタキシー (LPE)