SiC結晶のイオン注入活性化アニール過程における結晶回復と点欠陥の再配置(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
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概要
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Activation annealing of Al implanted 4H-SiC epitaxial layer at 850℃-2000℃ were investigated with DUV-Raman analysis, CV measurement, AFM, Hall measurement, TEM, and cross-sectional CL mapping analysis from the point of view of implanted carrier activation and the re-arrangement of point defects as the background of device operation.
- 2008-10-16
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