19pXB-1 Si中のCuゲッタリングサイトの陽電子消滅(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-02-28
著者
-
藤浪 真紀
千葉大院工
-
赤羽 隆史
物材機構
-
藤浪 真紀
東大 大学院
-
松川 和人
(株)ルネサステクノロジ
-
松川 和人
ルネサステクノロジ技術開発統括部
-
小熊 幸一
千葉大院工
-
藤浪 真紀
千葉大工
-
渡辺 和也
千葉大工
-
小熊 幸一
千葉大工
-
杉谷 洋祐
千葉大工
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