藤浪 真紀 | 東大 大学院
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概要
関連著者
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赤羽 隆史
物材機構
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藤浪 真紀
東大 大学院
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藤浪 真紀
千葉大工
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藤浪 真紀
千葉大院工
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澤田 嗣郎
東大院新領域
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澤田 嗣郎
東大院新領域創成
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小熊 幸一
千葉大院工
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藤浪 真紀
東大院新領域
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小熊 幸一
千葉大工
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赤羽 隆史
Nims物質研
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松川 和人
(株)ルネサステクノロジ
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松川 和人
ルネサステクノロジ技術開発統括部
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渡辺 和也
千葉大工
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
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赤羽 隆史
無機材研
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赤羽 隆史
物質・材料研究機構
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原田 博文
シルトロニック・ジャパン(株)
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前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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川口 拓未
千葉大院工
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大西 圭介
東大院工学系
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田所 真一
東大院新領域
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河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
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杉谷 洋祐
千葉大工
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川口 拓未
千葉大工
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福住 正文
千葉大工
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斉藤 祐太
千葉大工
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河裾 厚男
原子力機構 先端基礎研
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前川 雅樹
原研 高崎研
著作論文
- 25pYP-7 陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定法によるB、BF_2注入Si中の欠陥の研究
- 30aXD-7 陽電子消滅法によるSi中不純物ゲッタリング挙動の研究(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- イオン照射した鉄の同時計数ドップラー幅測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 20pXB-8 陽電子誘起イオン脱離の観測
- 29pXJ-5 イオン照射した鉄の同時計数ドップラー幅測定
- 19pXB-1 Si中のCuゲッタリングサイトの陽電子消滅(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXC-7 静磁場輸送陽電子ビームのマイクロビーム化(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)