澤田 嗣郎 | 東大院新領域

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 東大院新領域の論文著者

関連著者

• 澤田 嗣郎

  東大院新領域

• 岩田 康嗣

  産総研

• 武藤 麻紀子

  産総研

• Saitoh T

  Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technology

• 福田 昭

  産総研

• Tsuda Shinya

  R&d Headquarters Sanyo Electric Co. Ltd.

• Tsuge Sadaji

  Functional Materials Research Center Sanyo Electric Co. Ltd.

• 澤田 嗣郎

  東京大学

• 澤田 嗣郎

  東大院工

• 韓 民

  南京大学

• 岩田 康嗣

  電総研

• Saitoh T

  Ntt Basic Research Laboratories Physical Science Laboratory

• 澤田 嗣郎

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 木山 学

  電総研

• 小村 明夫

  日立造船

• 福田 昭

  電総研

• 澤田 嗣郎

  東大工

• 小村 明夫

  日立造船(株)技術・開発本部

• 滝谷 俊夫

  日立造船

• 滝谷 俊夫

  日立造船株式会社

• 韓 民

  電総研

• Tsuda Shinya

  New Materials Research Center Sanyo Electric Co . Ltd.

• Tsuda Shinya

  Sanyo Electric Co. Ltd.

• 沢田 嗣郎

  東京大学大学院工学系研究科

• Saitoh T

  Semiconductor Device Group Advanced Devices Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Lt

• 中島 琥一郎

  甲子園金属

• 澤田 嗣郎

  東大院新領域創成

• 武藤 麻紀子

  電総研

• 赤羽 隆史

  物材機構

• 藤浪 真紀

  東大 大学院

• 武藤 麻紀子

  東大工

• 藤浪 真紀

  東大院新領域

• 藤浪 真紀

  千葉大工

• 藤浪 真紀

  千葉大院工

• 岸田 将明

  産総研

• 岸田 将明

  ブイテックス

• 赤羽 隆史

  Nims物質研

• 澤田 嗣郎

  東大新領域

• YU Shengwen

  産総研 クラスタープロセス連携研究体

• Shengwen Yu

  産総研 クラスタープロセス連携研究体

• 韓 民

  南京大

• 赤羽 隆史

  無機材研

• 赤羽 隆史

  物質・材料研究機構

• 幾原 雄一

  東大工

• 大柳 宏之

  産総研光技術部門

• 武藤 麻紀子

  東京大学

• 武藤 麻紀子

  東大新領域

• Shengwen Yu

  南京大学

• 岩田 康嗣

  産総研 クラスタープロセス連携研究体

• 岸田 将明

  産総研 クラスタープロセス連携研究体

• 福田 昭

  産総研 クラスタープロセス連携研究体

• 澤田 嗣郎

  東京大学 新領域創成科学

• 武藤 麻紀子

  東京大学 新領域創成科学

• 小村 明夫

  日立造船(株)技術研究所

• 滝谷 俊夫

  日立造船(株)技術研究所

• 吉岡 邦男

  甲子園金属

• 松畑 洋文

  産総研

• 松畑 洋文

  産総研エネルギー半導体エレ

• 大木 美加

  産総研

• 山内 洋美

  産総研

• 岩本 智広

  東大工

• 澤田 嗣郎

  東京大学大学院工学研究科

• 大西 圭介

  東大院工学系

• 田所 真一

  東大院新領域

• Han Min

  南京大

• Han Min

  Nanjing Univ. Nanjing Chn

• 大柳 宏之

  産総研, 京大

• 大柳 宏之

  産総研

• 武藤 麻紀子

  東大院工

• 赤羽 隆史

  NIMS

もっと見る 閉じる

著作論文

• 904 レーザーアブレーションを利用したクラスター生成装置におけるレーザー誘起衝撃波の解析
• 18pTD-9 時空間局在型クラスター源SCCSによるサイズ制御シリコンクラスター生成
• 時空間局所閉じ込め型クラスタービーム源の開発
• 24pYN-2 シリコンクラスタービーム生成における分光分析
• 24pA-4 内部状態の揃ったクラスター生成源の開発(II)
• 26pB-4 内部状態を規定したクラスター生成源の開発
• 26pB-3 シリコンクラスターイオンの後方散乱実験
• 28a-S-8 ショック波を利用したレーザー蒸発型クラスター生成の原理
• 28a-S-2 高精度クラスター実験のための20KeV原子クラスターイオン生成
• 2a-YE-8 銅クラスター光解離過程の励起光強度依存性
• 2a-YE-7 レーザー蒸発クラスター源における高密度局在原子層の1次元ガスダイナミクス
• 28pXD-12 超音速シリコンクラスタービーム a-C 及び金属表面デポジッション
• 25pYP-7 陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定法によるB、BF_2注入Si中の欠陥の研究
• イオン照射した鉄の同時計数ドップラー幅測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
• 20pXB-8 陽電子誘起イオン脱離の観測
• 29pXJ-5 イオン照射した鉄の同時計数ドップラー幅測定
• 28p-XK-6 高速クラスターイオン後方散乱によるクラスター構造解析の原理
• 24pZA-11 SCCSによるシリコンクラスター生成の高精度、高効率化(24pZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
• 24pXR-13 イオン照射したSiの陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク