24pXR-13 イオン照射したSiの陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-03-01
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