藤浪 真紀 | 東大院新領域

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概要

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• 澤田 嗣郎

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著作論文

• 25pYP-7 陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定法によるB、BF_2注入Si中の欠陥の研究
• 20pXB-8 陽電子誘起イオン脱離の観測
• 29pXJ-5 イオン照射した鉄の同時計数ドップラー幅測定
• 24pXR-13 イオン照射したSiの陽電子消滅同時計数ドップラー幅測定(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

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