松川 和人 | ルネサステクノロジ技術開発統括部

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概要

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• 同名の論文著者
• ルネサステクノロジ技術開発統括部の論文著者

関連著者

• 松川 和人

  ルネサステクノロジ技術開発統括部

• 山本 秀和

  三菱電機パワーデバイス製作所

• 松川 和人

  (株)ルネサステクノロジ

• 松多 健策

  Kek

• 福田 光順

  埼玉大

• 白井 光雲

  阪大産研

• 鈴木 都文

  東工大理工

• 小林 義男

  理研

• 上野 秀樹

  理研

• 吉見 彰洋

  理研

• 長友 傑

  ICU

• 市川 雄一

  理研

• 旭 耕一郎

  東工大理工

• 吉見 彰洋

  理研仁科セ

• 旭 耕一郎

  東工大

• 武智 麻耶

  理研

• 上野 秀樹

  理研仁科セ

• 旭耕 一郎

  東工大理

• 藤浪 真紀

  千葉大院工

• 長江 大輔

  筑波大理

• 福田 光順

  阪大理

• 西村 太樹

  阪大理

• 久保木 隆正

  埼玉大理

• 波平 晃佑

  埼玉大理

• 八馬 功

  埼玉大理

• 山口 貴之

  埼玉大理

• 鈴木 健

  埼玉大理

• 鈴木 真司

  新潟大理

• 大坪 隆

  新潟大理

• 泉川 卓司

  新潟大RI

• 百田 佐多生

  高知工大

• 南園 忠則

  福井工大

• 小沢 顕

  筑波大理

• 森口 哲朗

  筑波大理

• 伊藤 由太

  筑波大理

• 石橋 陽子

  筑波大理

• 大石 寛人

  筑波大理

• 小沢 顕

  筑波大物理

• 佐藤 一彦

  埼玉大理

• 小林 義男

  理研仁科セ

• 平山 賀一

  高エ研

• 百田 佐多生

  高知工大工

• 松多 健策

  阪大院理

• 三原 基嗣

  阪大院理

• 西村 大樹

  阪大院理

• 福田 光順

  阪大院理

• 長友 傑

  国際基督教大

• 久保 徹

  新潟大自然

• 並木 祐一

  新潟大自然

• 百田 佐多生

  高知工科大

• 山田 一成

  理研

• 山田 一成

  理研仁科センター

• 泉川 卓司

  新潟大riセンター

• 赤羽 隆史

  物材機構

• 南園 忠則

  阪大理

• 藤浪 真紀

  東大 大学院

• 小林 義彦

  電通大電子物性

• 三原 基嗣

  大阪大理

• 大坪 隆

  新潟大 理

• 平山 賀一

  高エネルギー加速器研究機構・素粒子原子核研究所

• 武智 麻耶

  理研仁科セ

• 久保 徹

  新潟大理

• 松多 建策

  阪大理

• 原田 博文

  シルトロニック・ジャパン(株)

• 益子 洋治

  大分大学工学部

• 木村 泰広

  ルネサステクノロジ技術開発統括部

• 片山 俊治

  ルネサステクノロジ技術開発統括部

• 福本 晃二

  ルネサステクノロジ技術開発統括部

• 大坪 隆

  新潟大学理

• 小熊 幸一

  千葉大院工

• 藤浪 真紀

  千葉大工

• 渡辺 和也

  千葉大工

• 小熊 幸一

  千葉大工

• 山口 貴之

  岐阜大工

• 鈴木 伸司

  新潟大理

• 並木 祐一

  新潟大理

• 堀川 大輔

  高知工科大

• 三原 基嗣

  大阪大学

• 山口 貴之

  埼玉大学

• 鈴木 都文

  東工大理

• 旭 耕一郎

  東工大理

• 長江 大輔

  筑波大学

• 松川 和人

  ルネサス

• 長江 大輔

  筑波大

• 上野 秀樹

  理化学研究所仁科加速器研究センター

• 前川 雅樹

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  原子力機構先端基礎研

• 西村 太樹

  阪大院理

• 泉川 卓司

  新潟大理

• 平尾 雅彦

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 荻 博次

  阪大院,基礎工

• 平尾 雅彦

  阪大院,基礎工

• 服部 信美

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 前川 雅樹

  原子力機構・先端基礎研

• 福本 晃二

  株式会社ルネサス テクノロジ 生産本部 ウェハプロセス技術統括部

• 谷垣 健一

  阪大院

• 谷垣 健一

  大阪大基礎工

• 河裾 厚男

  原子力機構・先端基礎研

• 杉谷 洋祐

  千葉大工

• 荻 博次

  大阪大大学院基礎工研究科:jstさきがけ

• 河裾 厚男

  原子力機構 先端基礎研

• 荻 博次

  阪大

• 前川 雅樹

  原研 高崎研

• 小沢 顕

  筑波大 理

• 山田 一成

  理研仁科セ

• 西村 太樹

  理研仁科セ

• 古見 彰洋

  理研

• 平尾 雅彦

  大阪大学 大学院基礎工学研究科

• 西村 太樹

  理研

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著作論文

• Cu汚染起因ピット不良の評価と水素アニールおよびエピタキシャル成長による改善
• シリコンウェハの技術動向 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2001年版) -- (総論)
• J0406-1-3 ピコ秒レーザー超音波法によるSiウェハー中のナノ欠陥評価(超音波計測・解析法の新展開(1))(超音波計測・解析法の新展開(1))
• 30aXD-7 陽電子消滅法によるSi中不純物ゲッタリング挙動の研究(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19pXB-1 Si中のCuゲッタリングサイトの陽電子消滅(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pGJ-11 ベータNMRによる^Cuの磁気モーメント測定(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
• 22aGQ-2 シリコン中銅不純物の挙動観測のための核プローブ開発(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Evaluation of Cu Contamination Induced Pit Failure and Improvement by Hydrogen Anneal and Epitaxial Growth

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