松川 和人 | (株)ルネサステクノロジ
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
松川 和人
(株)ルネサステクノロジ
-
松川 和人
ルネサステクノロジ技術開発統括部
-
原田 博文
シルトロニック・ジャパン(株)
-
藤浪 真紀
千葉大院工
-
赤羽 隆史
物材機構
-
藤浪 真紀
東大 大学院
-
平尾 雅彦
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
小熊 幸一
千葉大院工
-
藤浪 真紀
千葉大工
-
渡辺 和也
千葉大工
-
小熊 幸一
千葉大工
-
荻 博次
大阪大大学院基礎工研究科:jstさきがけ
-
荻 博次
阪大
-
平尾 雅彦
大阪大学 大学院基礎工学研究科
-
前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
-
荻 博次
阪大院,基礎工
-
平尾 雅彦
阪大院,基礎工
-
前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
-
吉田 裕希
大阪大基礎工
-
荻 博次
大阪大基礎工
-
平尾 雅彦
大阪大基礎工
-
谷垣 健一
阪大院
-
谷垣 健一
大阪大基礎工
-
河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
-
杉谷 洋祐
千葉大工
-
河裾 厚男
原子力機構 先端基礎研
-
前川 雅樹
原研 高崎研
著作論文
- 1J2-5 共振ヤング率顕微鏡を用いたSiウェハー内の酸素析出物の評価(測定技術,映像法,非破壊評価II)
- J0406-1-3 ピコ秒レーザー超音波法によるSiウェハー中のナノ欠陥評価(超音波計測・解析法の新展開(1))(超音波計測・解析法の新展開(1))
- 30aXD-7 陽電子消滅法によるSi中不純物ゲッタリング挙動の研究(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pXB-1 Si中のCuゲッタリングサイトの陽電子消滅(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)