市川雄一 | 理研

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20pHT-8 イン・ビームメスバウア分光法による応力下シリコン中の鉄不純物観察(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
21pSB-7 ^Alの電気四重極モーメント(21pSB 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核,理論核物理領域)
28aSG-6 RIビームの核融合反応による^Tiの高スピン核分光(28aSG 高スピン・核構造・核融合・核分裂・超重核・軽イオン核反応,実験核物理領域)
22aSD-3 中性子過剰な炭素、窒素、酸素同位体のベータガンマ核分光(実験核物理領域,理論核物理領域合同不安定核構造,22aSD 実験核物理領域,理論核物理領域合同招待講演,実験核物理領域)
24aZF-4 陽子非弾性散乱による中性子過剰Mg同位体のガンマ核分光(実験核物理領域,理論核物理領域合同,不安定核(合同)I,実験核物理領域)
20aSC-14 陽子非弾性散乱による中性子過剰核^Neの第一励起状態の測定(20aSC 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核(反応と構造),理論核物理領域)
28pXF-9 陽子-He同位体間のスピン軌道ポテンシャル(不安定核(合同)I,28pXF 理論核物理領域,実験核物理領域合同,理論核物理領域)
20aSC-8 p+^6He弾性散乱の偏極分解能測定と不安定核におけるスピン依存相互作用の研究(20aSC 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核(反応と構造),理論核物理領域)
27pWD-6 偏極陽子-ヘリウム6弾性散乱による偏極分解能測定(27pWD 不安定核・高スピン,実験核物理領域)
28pZL-10 ^Crのガモフテラーベータ崩壊(理論核物理,実験核物理合同不安定核)(理論核物理)
29pSA-13 ^Cr のガモフテラーベータ崩壊
21aSB-8 T_z=-2陽子過剰核^Siのベータ崩壊(21aSB 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核,理論核物理領域)
20aSC-10 ^Siのベータ崩壊(20aSC 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核(反応と構造),理論核物理領域)
22aSD-7 Reciol Distance Methodによる^Mgにおける第一2^+励起状態の寿命測定(実験核物理領域,理論核物理領域合同不安定核構造,22aSD 実験核物理領域,理論核物理領域合同招待講演,実験核物理領域)
22aSD-5 中性子過剰核^B励起準位の探索(実験核物理領域,理論核物理領域合同不安定核構造,22aSD 実験核物理領域,理論核物理領域合同招待講演,実験核物理領域)
24pZF-6 ^8Heの分解反応II(実験核物理領域,理論核物理領域合同,不安定核(合同)II,実験核物理領域)
27aSC-12 ^8Heの分解反応(27aSC 実験核物理領域,理論核物理領域合同不安定核(反応と構造))
27aSC-8 ^6Heのクーロン分解反応(27aSC 実験核物理領域,理論核物理領域合同不安定核(反応と構造))
24aZF-13 ^Cの第一2^+励起状態の寿命測定(実験核物理領域,理論核物理領域合同,不安定核(合同)I,実験核物理領域)
27aWD-7 ^Siのβ-p,β-γ核分光(理論核物理,実験核物理合同不安定核,理論核物理)
27aWD-5 ^Cの第一2^+励起状態の寿命測定(理論核物理,実験核物理合同不安定核,理論核物理)
27aWD-4 ^C励起状態の寿命測定(理論核物理,実験核物理合同不安定核,理論核物理)
27aWD-3 ^Bの励起状態の寿命測定(理論核物理,実験核物理合同不安定核,理論核物理)
26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
14pSK-6 共鳴ニュートリノ散乱実験の実現可能性(14pSK LHC物理解析・非加速器実験,素粒子実験領域)
13aSB-2 陽子過剰核^Siのベータ崩壊とその鏡映対称性(企画講演,13aSB実験核物理領域,理論核物理領域合同不安定核II(合同),実験核物理領域)
12aSB-12 分散整合二回散乱法による核スピン整列RIビームの生成(12aSB 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核I(合同),理論核物理領域)
12aSB-11 TDPAD法を用いた^Alアイソマーの磁気モーメント測定(12aSB 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核I(合同),理論核物理領域)
27aZB-4 ストリップゲルマニウムテレスコープの開発(検出器等)(実験核物理)
23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
28aGJ-8 陽子非弾性散乱による中性子過剰Mg同位体のガンマ線核分光(28aGJ 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核IV,理論核物理領域)
27pGJ-10 TDPAD法を用いた^Alアイソマーの磁気モーメント測定II(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
27pGJ-9 分散整合二回散乱法による核スピン整列RIビームの生成II(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
28pGK-2 ^Rbビームを用いた超流動ヘリウム中でのレーザー核分光法開発実験(28pGK 検出器IV,実験核物理領域)
27pGJ-11 ベータNMRによる^Cuの磁気モーメント測定(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
25aGJ-9 陽子過剰核^Alの核モーメント(25aGJ 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核I,理論核物理領域)
28pGK-3 不安定核の偏極測定のための断熱磁場回転法を用いた磁場回転装置の開発(28pGK 検出器IV,実験核物理領域)
28aGJ-13 N=21中性子過剰核^Siの核構造(28aGJ 理論核物理領域,実験核物理領域合同不安定核IV,理論核物理領域)
18pSK-14 超流動ヘリウム中に打ち込まれた^Rbビームのレーザー誘起蛍光観測と光ポンピング(18pSK 不安定核(II),実験核物理領域)
16aSK-11 β-NMR実験のための新型制御系・データ収集系の開発(16aSK 測定器(I),実験核物理領域)
22aGQ-2 シリコン中銅不純物の挙動観測のための核プローブ開発(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
18pSK-1 分散整合二回散乱法による核スピン整列RIビームの生成III(18pSK 不安定核(II),実験核物理領域)
18pSK-11 陽子非弾性散乱を用いたIsland of inversion核の低励起状態の研究(18pSK 不安定核(II),実験核物理領域)

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