短TAT化を実現するTEM試料作製技術
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概要
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微細化が進む半導体デバイスの開発期間短縮や早期安定量産実現のため、短期間でのTEM評価の重要性が高まっている。TEM評価の律速要因となっている試料作製時間を短縮させるため、収束イオンビーム(FIB)を用いたTEM試料作製法をさらに発展させた二つの手法(マイクロサンプリング法とピックアップ法)が近年提案されている。本稿では、両手法の概要およびメリット・デメリットの考察結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
廣瀬 幸範
株式会社ルネサステクノロジ
-
廣瀬 幸範
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
福本 晃二
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
益子 洋治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
古田 正昭
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
-
橋川 直人
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
吉田 正昭
菱電セミコンダクターシステムエンジニアリング株式会社ウェーハプロセス技術第一部
-
益子 洋治
ルネサステクノロジー(株) 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部
-
福本 晃二
ルネサステクノロジ技術開発統括部
-
福本 晃二
株式会社ルネサス テクノロジ 生産本部 ウェハプロセス技術統括部
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