Flip Chip対応裏面EBテスティング手法の検討
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概要
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高速・多ピン化に対応して近年主流となってぃるFlip Chipデバイスでは、内部信号に対する表面からの電子ビーム(EB)テスティングが不可能である。そこで我々はFlip Chipに対応したチップ裏面からのEBテスティング手法の検討を行った。そのため新たにチップ裏面加工方法を開発し、短時間かつ高い位置精度でEB観測配線を露出させることに成功した。さらに本方法を疑似欠陥を作り込んだFlip Chipデバイスに適用し裏面から不良検出を試みたところ、表面からのEBテスティングと同等の電位コントラスト像および電位波形が観測でき、本裏面EBテスティンング手法が故障解析に有効であるこを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-19
著者
-
小山 徹
株式会社ルネサステクノロジ
-
小守 純子
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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小守 純子
株式会社ルネサステクノロジ
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益子 洋治
ルネサステクノロジー(株) 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部
-
益子 洋治
三菱電機(株)ulsi開発研究所評価解析センターlsiプロセス開発第二部
-
吉田 映二
株式会社ルネサステクノロジ
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中嶋 太一
ルネサスセミコンダクタエンジニアリング株式会社
-
吉田 映二
三菱電機(株)
-
中嶋 太一
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング(株)
-
小山 徹
三菱電機(株)
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