酸化膜信頼性におけるTDDB初期故障特性評価
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概要
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ULSIデバイスの信頼性を大きく左右する、ゲート酸化膜信頼性の初期故障を評価する新しい手法を報告する。大規模なMOSキャパシタをチャネル反転状態でTDDB評価することで、従来あまり観測できなかった初期故障の評価が可能となった。実際のデバイスの信頼性予測を行う上で重要となるTEGの面積効果や初期故障領域の温度加速性についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20
著者
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小守 純子
株式会社ルネサステクノロジ
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益子 洋治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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益子 洋治
ルネサステクノロジー(株) 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部
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志賀 克哉
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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小守 純子
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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勝又 正文
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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寺本 章伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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