P-N接合の経時劣化現象
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概要
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P-N接合の信頼性を調べるためにウェハーレベルでの経時接合劣化(TDJD)現象を評価した。TDJD現象では、誘電体膜におけるTDDBと同様に一定電界を接合に印加し続けることによって生ずる劣化現象で、接合の長期信頼性を評価する上で重要である。潜在的欠陥は、このTDJDによる接合劣化を助長する。さらに、接合周辺部に捕獲された正孔が接合特性を劣化される。接合周辺部は、LOCOS端及びゲート端あるいはその一方で構成されているが、ゲート端がTDJD特性劣化に対して支配的であるといえことが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
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