時間に依存した酸化膜破壊機構と量子物理化学
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概要
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TDDB界加速モデルを説明するために、熱化学的破壊モデルと正孔誘起破壊モデルの定式化を行ってから、長期TDDB試験結果との比較評価を行った。その結果、TDDBの電界加速性は熱化学的破壊モデル、すなわち線形電界依存性であることを明らかにする。TDDB現象が熱化学的破壊反応であれば、酸化膜破壊機構は量子物理化学に応用することができる。時間に依存した酸化膜破壊機構は、Si_5O_<16>H_<12>クラスターモデルのPM3(UHF)分子軌道計算から、酸化膜破壊反応過程によって説明され、酸化膜破壊構造はSi-O-O-SiとSi-Siの対欠陥生成によって説明できることを明らかにする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-25
著者
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