CAD支援によるLSI裏面発光解析の高精度化
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概要
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LSIでの金属配線の多層化・フリップチップ化・CSP化・LOC化に対応した, チップ裏面側から微弱赤外光を検出し故障位置を特定する裏面発光解析では, 発光像の背景となるレイアウトパターン反射像のコントラスト・空間分解能がチップ表面からの観察に比べ低下するため発光位置の認識が困難になる.そこで, 反射像にCADレイアウト図を重ね合せることで, チップ裏面から発光位置を精度よく認識できる手法を開発した.ソフトウエア上での3点位置合わせでクォータμmレベルでの発光位置認識精度が得られ, 本手法が実解析に極めて有効になることを先端DRAMへの適用例で示す.
- 1998-03-13
著者
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石井 達也
三菱電機(株) 北伊丹製作所 品質保証部
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石井 達也
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
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三橋 順一
三菱電機
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三橋 順一
三菱電機(株)ULSI開発研究所評価解析センターLSIプロセス開発第二部
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字廻 功二
多田電機(株)半導体工場
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浅谷 紀夫
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
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