VLSIテスタと接続したエミッション顕微鏡によるメモリLSIの故障検出率の向上
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概要
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DRAMを始めとするめもりLSIの微細化,高密度化に伴い,故障箇所の特定化が困難になってきている.今回,発生解析をメモリLSIのファンクション不良に応用するため,エミッション顕微鏡にVLSIテスタを接続し,故障箇所特定化率(故障検出率)の向上を図る方法を検討した.専用のテストプログラムを用いて,LSIチップをダイナミック動作させた状態で発光解析をすることにより,DC電圧のみを印加した解析に比べ,故障検出率が格段に向上することがわかった.さらに,チップ裏面からの発光解析技術に応用することで,アルミ配線に覆われた領域の発光解析も可能になり,故障検出率がさらに向上するとともに,LOC構造デバイスのファンクション不良に対して極めて有効な解析に手段になることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-25
著者
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宮本 和俊
三菱電機(株) 北伊丹製作所 品質保証部
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石井 達也
三菱電機(株) 北伊丹製作所 品質保証部
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内藤 健作
多田電機(株) 半導体工場 半導体試験部
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石井 達也
三菱電機北伊丹製作所
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宮本 和俊
三菱電機北伊丹製作所
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石井 達也
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
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内藤 健作
多田電機
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