LSIチップ裏面発光解析技術
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概要
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先端ロジックでの金属配線の多層化・フリップチップ化, DRAMでのLOCパッケージの採用で, チップ表面側からの故障解析が困難になりつつある. そこで, 微少りークに起因した赤外発光をチップ裏面側から検出し, Iddq故障や論理故障の原因箇所を特定する技術を確立した. 論理故障に起因した発光を検出するためのテスタによるチップ動作方法と, チップ裏面を露出させた状態で動作させるためのサンプル加工方法を, メモリ・ロジックのそれぞれに対して述べる. ロジックLSIでは, 発光と論理故障との因果関係を論理シミュレーションにより検証することで, 高精度な解析を実現できることを示す. また, チップ裏面からの反射像にCADレイアウト図を重ね合わせることで発光位置の認識が容易になり, 正確かつ迅速な解析を実施できることを示す.
- 1997-11-07
著者
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石井 達也
三菱電機(株) 北伊丹製作所 品質保証部
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内藤 健作
多田電機(株) 半導体工場 半導体試験部
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石井 達也
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
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三橋 順一
三菱電機
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三橋 順一
三菱電機(株)ULSI開発研究所評価解析センターLSIプロセス開発第二部
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内藤 健作
多田電機(株)半導体工場
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