原子レベル平坦化Si表面を用いた紫外光高感度・高信頼性フォトダイオード(2011 International Image Sensor Workshop(IISW)関連およびイメージセンサ一般)
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概要
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紫外光に対する高い感度と,紫外光照射に対して高い安定性・長期信頼性を有する,原子レベル平坦化Si表面を用いたフォトダイオードを試作・評価した.本稿では,(100)面のSi表面の原子レベル平坦化技術,及び表面の原子レベル平坦性を維持可能とする集積化プロセス技術をまとめ,紫外光に対する高感度化と紫外光照射耐性向上の鍵となる,均一かつ極薄な表面光電荷ドリフト層の形成方法とその効果について論じる.
- 2011-11-11
著者
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
黒田 理人
東北大学工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
半澤 克彦
東北大学大学院工学研究科
-
中澤 泰希
東北大学大学院工学研究科
-
幸田 安真
東北大学大学院工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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