Teramoto A | New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

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概要

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著作論文

ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
Impact of fully depleted silicon-on-insulator accumulation-mode CMOS on Si(110) (シリコン材料・デバイス)
MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
The data analysis technique of the atomic force microscopy for the atomically flat silicon surface(Session9A: Silicon Devices IV)
The data analysis technique of the atomic force microscopy for the atomically flat silicon surface(Session9A: Silicon Devices IV)
Performance comparison of ultrathin fully depleted silicon-on-insulator inversion-, intrinsic-, and accumulation-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Special issue: Solid state devices and materials)
Performance Comparison of Ultra-thin FD-SOI Inversion-, Intrinsic- and Accumulation-Mode MOSFETs
Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM
Data Analysis Technique of Atomic Force Microscopy for Atomically Flat Silicon Surfaces
Low Contact Resistance with Low Schottky Barrier for N-type Silicon Using Yttrium Silicide
Experimental investigation of effect of channel doping concentration on random telegraph signal noise (Special issue: Solid state devices and materials)
A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
Anomalous random telegraph signal extractions from a very large number of n-metal oxide semiconductor field-effect transistors using test element groups with 0.47Hz-3.0MHZ sampling frequency (Special issue: Solid state devices and materials)
A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation(Session2: Silicon Devices I)
A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation(Session2: Silicon Devices I)
The Evaluation of New Amorphous Hydrocarbon Film aCHx, for Copper Barrier Dielectric Film in Low-k Copper Metallization
Low Dielectric Constant Non-Porous Fluorocarbon Films for Inter-Layer Dielectric
Impact of channel direction dependent low field hole mobility on (100) orientation silicon surface (Special issue: Solid state devices and materials)

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