The data analysis technique of the atomic force microscopy for the atomically flat silicon surface(Session9A: Silicon Devices IV)
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概要
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Atomically flat (100) silicon surface constructed with atomic terraces and steps is realized by argon annealing at 1200℃ on (100) crystal orientation large diameter wafers with precisely controlled tilt angle. An atomic terraces and steps of (100) silicon surface can be measured as an image data by the atomic force microscopy (AFM). In order to discuss the flatness and the uniformity of the atomically flat silicon surface, it is important to evaluate the roughness of each terrace. In this paper, the data analysis technique of the atomic terraces and steps of (100) silicon surface will be proposed.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-02
著者
-
TERAMOTO Akinobu
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
大見 忠弘
東北大学
-
KURODA Rihito
Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Kuroda Rihito
Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Konda Masahiro
NICHe, Tohoku University
-
Teramoto Akinobu
NICHe, Tohoku University
-
Suwa Tomoyuki
NICHe, Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
NICHe, Tohoku University
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
SUWA Tomoyuki
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
KONDA Masahiro
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
Teramoto Akinobu
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Teramoto Akinobu
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
Suwa Tomoyuki
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Konda Masahiro
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Teramoto Akinobu
University Of Tohoku New Industry Creation Hatchery Center (niche)
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