高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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三次元実装積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この三次元実装積層には貫通電極(TSV)形成が重要な技術となっている。本論分では、シリコンウェーハのアルカリによるウェットエッチングによる貫通電極形成技術の報告を行う。
- 2011-10-13
著者
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
吉川 和博
株式会社フジキン大阪ハイテック研究所
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
吉川 和博
株式会社プレテックat
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吉田 達朗
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
添田 一喜
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平塚 亮輔
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
吉川 和博
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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