学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間,3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように,現状のシリコン技術はその限界にほぼ到達し進歩は完全に止っている.そのため世界の情報通信技術(ICT)の進歩も止ってしまっているため,全世界のすべての産業技術もその進歩を止めている.世界は,まさに世界同時大不況の真っ只中にある.この困難な状況を克服するため,筆者らは長い年月を掛けて"学問に基づく本物のシリコン技術創り"を進めて来た.現状のシリコン技術は,Mosトランジスタのゲート絶縁膜(SiO_2)を、反応力を全く持たない酸素分子(O_2)や水分子(H2O)を用いた高温熱酸化で形成しているため,程々の品質のSiO_2膜が(100)シリコン表面にだけ形成されるため(他の面方位のシリコン表面上にはきわめて劣悪な酸化膜),2次元形状のMOSトランジスタを用いて(100)表面のシリコン上にだけLSIが形成できる技術なのである.そのため現状のシリコン技術では,シリコン結晶の有する全性能のうち,きわめて限定された性能しか活用できていないのである.シリコン結晶の有する全性能を完全に活用するためには,3次元立体構造のMOSトランジスタを駆使して,任意の面方位のシリコン表面上にLSIを製造できる,"学問に基づく本物のシリコン技術"を創出しなければならない.本物のシリコン技術を創出するためには,すべての面方位のシリコン表面上に文字通り超高品質のゲート絶縁膜が同じ成膜速度で形成できる超高品質ゲート絶縁膜形成技術が存在しなければならない.それが筆者等が長年開発し続けて来た"ラジカル酸化(SiO_2)"であり,"ラジカル窒化(Si_3N_4)"である.
- 2011-10-13
著者
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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