ニューロンMOSを用いた多値インテリジェントメモリ
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概要
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本論文は、ニューラルネットワークに関連したものではない。単体で、ニューロン類似の機能を持つ機能トランジスタ、ニューロンMOSFET(以下νMOSと略)を用いて構成される新概念の電子回路に関する論文である。ここでは、多値の機能メモリへの応用について述べる。まず、データ増幅機能を持った多値DRAMセルと、高速データ読み出しのためのセンス回路について述べる。これは、例えば画像処理等で発生する画素データを高密度に記憶し、リフレッシュによりレベル再生のできるメモリである。次に、各メモリセルがセルレベルで高度な機能を持ったメモリについて述べる。セル自身が、入力データの量子化機能やさらにその分類機能を有する多値スタティックメモリ、またセル自身が多値データの連想を行うダイナミックメモリである。これらの新しい機能メモリは、νMOSを用いて初めて実現された。2層ポリシリコンCMOSプロセスで試作したテスト回路及びHSPICEシミュレーションによりその基本動作を確認した。これらの多値機能メモリは、将来のより柔軟で高度な情報処理の実現のための基盤を提供するものである。
- 1994-04-22
著者
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