多結晶シリコン抵抗の安定化技術

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概要

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• 今回筆者等は, 多結晶シリコン抵抗の上部をA1配線が横切る場合に, 抵抗値が低下する現象を見いだした. 本現象は, 多結晶シリコン上に直接, 熱CVD窒化膜をつけること, または, リンとボロンの二重イオン注入により防止できることを確認した. ホール効果測定により, 抵抗値変動は移動度のみの変化であり, また, 温度特性から求めたバリアハイトとSetoの提案する電気伝導メカニズムと合わせて考察するとA1配線からの影響により多結晶シリコンの結晶粒界に生じている固定電荷密度の低下に起因するバリアハイトの低下による変動と考え得る結果を報告する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-08-23

著者

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 山内 経則

  富士通(株)第一半導体事業本部会津若松工場

• 余 寧梅

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 中村 俊二

  (株)富士通研究所 基板技術研究所

• 米澤 岳美

  東北大学 工学部 電子工学科

• 余 寧梅

  東北大学 工学部 電子工学科

• 柴田 直

  東北大学 工学部 電子工学科

• 瀬戸山 孝男

  富士通(株)第一半導体事業本部 会津若松工場

• 山内 経則

  富士通(株)第一半導体事業本部 会津若松工場 : 東北大学 工学部 電子工学科

• 中村 俊二

  富士通研究所、ulsiプロセス研究部

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