アナログ/デジタル混載LSIに適したBiCMOS技術

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概要

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• ディスクコントローラや自動車用のアナログ/デジタル混載LSIに適したBiCMOS技術として低濃度のnMOSソース/トレイン層とポリシリコンによるセルフアラインエミッタ構造をもつBiCMOS技術を開発し,CMOS,バイポーラ双方の素子耐圧を20V以上に保ちつつ,バイポーラトランジスタの遮断周波数2.8GHzを得ることができた。本技術により,磁気ディスク装置用信号処理LSIを試作し,その有効性を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-06-21

著者

• 土屋 主税

  富士通株式会社

• 山内 経則

  富士通(株)第一半導体事業本部会津若松工場

• 土屋 主税

  富士通(株)第一半導体事業本部第二システムLSI事業部

• 山内 経則

  富士通(株)第一半導体事業本部 会津若松工場 : 東北大学 工学部 電子工学科

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