低エネルギイオン照射を用いたボロンドープシリコン単結晶薄膜の形成
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概要
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ボロン(B)ドープシリコンに対し低エネルギイオン照射(<3OeV)を行い、シリコンエピタキシャル薄膜の形成に関する研究を行った。イオン照射エネルギが5eVより大きくなると、単結晶にもかかわらずキャリア濃度が減少することを明らかにした。リンのl3eVと比較すると、非常に小さいイオン照射エネルギで不活性化してしまう。したがって、ボロンのキャリア濃度が完全に活性化した薄膜を形成するためには、イオン照射エネルギを5eVより小さくする必要がある。これはイオン照射を利用した半導体プロセスにとって大変重要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-28
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
本藤 哲史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
熊巳 創
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
進藤 亘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
熊巳 創
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
進藤 亘
東北大学工学研究科電子工学専攻
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本藤 哲史
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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