MFIS-structure Memory Device with High Quality Ferroelectric Sr_2(Ta_<1-x>Nb_x)_2O_7 Formed by Physical Vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment by Radical Oxygen Assisted Layer by Layer(ROALL) deposition

スポンサーリンク

概要

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク