Highly Reliable MOS Trench Gate FET by Oxygen Radical Oxidation
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概要
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- 2001-09-25
著者
-
斎藤 弥八
名大院工
-
斎藤 弥八
名大工
-
OHMI Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
Saito Yahachi
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
-
Saito Yahachi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy
-
Saito Yuji
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
UEDA Naoki
Process Development Laboratory, Sharp Corporation
-
HIRAYAMA Masaki
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
YAMAUCHI Yoshimitsu
Process Development Laboratory, Sharp Corporation
-
SUGAWA Shigetoshi
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
HIGUCHI Masaaki
TOSHIBA CORPORATION
-
SUGAWA Sigetoshi
Tohoku University
-
HIRAYAMA Masaki
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
Sugawa Shigetoshi
Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Sugawa Shigetoshi
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Hirayama Masaki
Toshiba Corporation
-
Hirayama Masaki
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center Future Information Industry Creation Center Tohoku University
-
Ueda Naoki
Process Development Laboratory Sharp Corporation
-
Saito Yuji
Department Of Anesthesiology Gunma Prefectural Cardiovascular Center
-
Yamauchi Yoshimitsu
Process Development Laboratory Sharp Corporation
-
Ohmi Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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