14pXG-6 In/Si(113) の表面再配列構造の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
一宮 彪彦
原研先端基礎研
-
斎藤 弥八
名大院工
-
斎藤 弥八
名大工
-
中原 仁
名大院工
-
一宮 彪彦
日女大理
-
Saito Y
Faculty Of Engineering Yamanashi University
-
中原 仁
名大工
-
斎藤 弥八
三重大学
-
西岡 秀雄
名大院工
-
西岡 秀雄
名大工
-
齋藤 弥八
原研
-
Saito Yahachi
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
-
Saito Yahachi
Technology Development Center Toyohashi University Of Technology
-
Saito Yahachi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy
-
Saito Yuji
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Saito Yoshihiko
Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
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