ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造(<特集>どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
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概要
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転位を持つヘテロエピタキシャル成長の表面形態について2次元弾性格子模型を用いたこれまでの研究を紹介する.転位が作る結晶中の非一様な歪み場により,吸着原子は特定のサイトに集められる.その結果,平坦な表面上での次の層の核生成サイトが,転位直上もしくは転位間の中間位置の2つの場合に分かれる.また,いくつかの吸着量でエネルギー最低となる平衡形状を決めることで,吸着物結晶の成長様式を推測した.表面を完全に濡らす通常の半導体結晶の組み合わせを想定すると,格子不整合が大きくなるにつれ,Frank-van der Merwe (FM)成長,Stranski-Krastanov (SK)成長,転位を含むSK成長,転位を含むFM成長と変化する.また,SK成長と転位を含むFM成長間の領域で一時的に島状構造が現れうることがわかった.
著者
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齋藤 幸夫
慶応大理工
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斎藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
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上羽 牧夫
名大院理
-
斎藤 弥八
名大院工
-
勝野 弘康
学習院大学計算機センター
-
勝野 弘康
名大理
-
齋藤 幸夫
慶応義塾大学理工学部
-
齋藤 弥八
名大院工
-
上羽 牧夫
名古屋大学理学研究科
-
Saito Y
Faculty Of Engineering Yamanashi University
-
斎藤 弥八
三重大学
-
Saito Y
Department Of Applied Physics Osaka University
-
Saito Y
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency
-
Saitoh Yuji
Department Of Material Physics Osaka University
-
Saito Y
Keio Univ. Yokohama
-
Saito Yahachi
Faculty Of Engineering Mie University
-
齋藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
-
斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
-
Saito Yoshihiko
Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Saito Y
Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn
-
Saito Y
Department Of Materials Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Shigeta Yukichi
Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Physics Yokohama City University
-
Suwa Y
Research Center For Advanced Science And Technology The University Of Tokyo
-
上羽 牧夫
名大・理
-
上羽 牧夫
名古屋大学理学研究科物理学教室
-
Saito Yoshiaki
Hatano Research Institute (hri) Food And Drug Safety Center (fdsc)
-
Saito Yoshiaki
Lab. Of Pathology
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勝野 弘康
学習院大学
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