17pC11 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
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概要
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With a Si(001) vicinal in mind, we study step bunching induced by drift of adatoms. In 1-dimensional model, bunches with step-down drift grow faster than those with step-up drift. In 2-dimensional model, the bunches with step-down drift are straight and those with step-up drift are fluctuated large. By the difference of the 2-dimensional pattern, the bunches with step-up drift grow as fast as those with step-down drift.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
齋藤 幸夫
慶応大理工
-
齋藤 幸夫
慶応義塾大学
-
上羽 牧夫
名大院理
-
佐藤 正英
金沢大総合メディア
-
上羽 牧夫
名古屋大学理学研究科
-
Saitoh Yuji
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency
-
Saitoh Yuji
Department Of Material Physics Osaka University
-
Saito Y
Keio Univ. Yokohama
-
Saito Yahachi
Faculty Of Engineering Mie University
-
斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
-
Suwa Y
Research Center For Advanced Science And Technology The University Of Tokyo
-
上羽 牧夫
名大・理
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