吸着原子の流れと拡散係数の異方性によるステップの蛇行 : 結晶成長理論シンポジウム
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概要
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We study drift-induced step wandering in a vicinal face of Si(001). With step-down drift, only step pairing occurs. With step-up drift, both step pairing and step wandering occur with a weak step repulsion, and only the step wandering occur with a strong step repulsion. The results agree with the observation of a Si(001) vicinal face.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
齋藤 幸夫
慶応大理工
-
広瀬 幸雄
金沢大大学院自然科学研究科システム創成科学専攻
-
広瀬 幸雄
金沢大学大学院自然科学研究科
-
上羽 牧夫
名大院理
-
上羽 牧夫
名大理
-
広瀬 幸雄
金沢大学理学部
-
広瀬 幸雄
金大理
-
斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
-
広瀬 幸雄
金沢大理
-
佐藤 正英
金沢大理
-
廣瀬 幸雄
金沢大学大学院自然科学研究科
-
上羽 牧夫
名大・理
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