上羽 牧夫 | 名大理
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概要
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上羽 牧夫
名大理
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名大・理
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Japan Aerospace Exploration Agency The Institute Of Space And Astronautical Science(jaxa Isas) Iss S
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独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
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(独)物質・材料研究機構 物質研究所
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斎藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
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名古屋工業大学工学部
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Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn
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Ohta Hitoshi
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Toshiba Research & Development Center Toshiba Corporation
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Saito Y
Department Of Materials Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
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Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Physics Yokohama City University
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名大理
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Reutt-Robey J.E
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Emundts A
ユーリッヒ研
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Bonzel H.P.
ユーリッヒ研
著作論文
- 21pGL-9 結晶粉砕によるカイラリティ転換の条件 : 反応率,開放系(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
- 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
- 27aYH-6 インクルージョンを含むエピタキシャル成長の島状構造変化(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-9 荒れた微斜面の平坦化I-SrTiO_3のSTM観察(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aWX-9 モンテカルロシミュレーションによるSrTiO_3(001)表面緩和過程の研究(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYC-2 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化 V
- 上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行II(結晶成長理論I)
- 上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行 : 結晶成長理論シンポジウム
- 17pTF-10 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化II
- 27aTA-9 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化I
- 20pXA-10 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-2 長距離相互作用する粒子の1次元核生成(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXK-2 エピタキシャル系における核生成初期過程(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pTG-8 エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aC07 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶のミスフィット転位を含む平衡状態(結晶成長理論(2),第36回結晶成長国内会議)
- 24pYH-9 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-5 2つの拡散係数がある微斜面上におけるドリフト流によるステップの不安定化(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-4 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-1 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(III)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pC10 ミスフィット転位間の弾性相互作用(I)(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-9 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(II)(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 12pXG-10 エピタキシャル系におけるミスフィット転位 (I)(結晶成長, 領域 9)
- 12pXG-9 拡散係数のギャップがある系での吸着原子の流れによるステップの不安定化(結晶成長, 領域 9)
- 29pWP-4 Si(001)微斜面でのドリフト流によるステップ束の成長則(結晶成長)(領域9)
- 21pYC-5 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形 (5)
- 21pYC-1 通電時の Si(001) 微斜面でのバンチングにおける拡散係数とカイネティク係数の効果
- 通電時のSi(001)微斜面でのバンチング : 表面拡散の効果とカイネティクスの効果(結晶成長理論I)
- Si(001)微斜面での通電加熱時のステップ束の形成と成長則(結晶成長理論I)
- 28aZE-12 ドリフト流によるシリコン (001) 微斜面でのステップ列の蛇行 II
- 28aZE-11 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形 (4)
- Si(001)微斜面上の吸着原子の流れによるステップバンチング : 結晶成長理論シンポジウム
- 吸着原子の流れと拡散係数の異方性によるステップの蛇行 : 結晶成長理論シンポジウム
- 17pTF-11 拡散係数の異方性とドリフトによるバンチング
- 17pTF-9 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形
- 27aTA-10 ドリフト流による成長時のステップの不安定化
- 22pTD-3 微斜面におけるステップのパターン形成
- 25aTA-12 離散格子系における弾性相互作用II
- 23pWA-7 透過性ステップのバンチングでの束の成長則
- 22pTD-3 微斜面におけるステップのパターン形成
- 25pT-2 吸着原子のドリフトによる透過性ステップのバンチング
- 23pW-3 離散格子系における弾性相互作用
- 23pT-7 吸着原子のドリフトによる透過性ステップの蛇行
- 24pZ-12 ステップ・カイネティクスの非対称性によるバンチングでの東の成長則
- 25aT-1 吸着原子のドリフトによる微斜面の不安定化II
- 30p-S-10 通電によるステップバンチングでの束の成長則III
- 28p-YM-3 通電によるステップバンチングでの束の成長則II
- 25p-P-1 吸着原子のドリフト流による微斜面の不安定化
- 30p-YE-9 融液成長での結晶の異方性の効果
- 5p-B-12 通電によるステップバンチングでの束の成長則
- 24aWX-8 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムII(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTE-10 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズム(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-9 粉砕過程を持つクラスタ形成の分析(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5p-G-11 Quantum Lattice Modelの高温展開
- フラクタル凝集体の熱緩和II : 成長シミュレーションII
- 28a-YW-6 フラクタル凝集体の熱緩和II
- 28pTE-9 粉砕撹拌によるカイラリティ転換でのクラスターサイズ分布(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-8 粉砕撹拌による結晶と分子のカイラリティ転換のモデル(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXK-3 Becker-Doringモデルに基づいたクラスター成長の各時間スケールでの分析(2)(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pTG-9 Becker-Doringモデルに基づいたクラスダー成長の各時間スケールでの分析(1)(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aXF-4 固体^4He中における等方的な負結晶の運動(30aXF 量子固体・量子流体,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 松下 貢, 『フラクタルの物理(I)基礎編, (II)応用編』, 裳華房, 東京, (I); 2002, (II); 2004, (I); xii+186p., (II); x+164p., 21×15cm, 本体各2,400円(裳華房フィジックスライブラリー)[学部・大学院向]
- 『結晶成長』, 齋藤幸夫著, 裳華房, 2002年刊, A5判, 170頁, 定価(本体)2400円, ISBN4-7853-2213-6
- A. Pimpinelli and J. Villain, Physics of Crystal Growth, Cambridge Univ. Press, 1998, xix+377p., 24.5×17cm, \8,410, [大学院向]
- 24pZ-10 ファセット上の島状構造における緩和過程 II
- 31a-N-8 ファセット上の島状構造における緩和過程
- 29p-R-2 2次元Heisenberg磁性体の磁化反転
- 5p-H-4 稀薄混合固体ヘリウムの相分離
- 9. Bose量子結晶について(基研長期研究計画「量子固体」,研究会報告)
- 4a-C-5 Bose凝縮した量子結晶の励起スペクトル(格子模型)
- 22pC6 ファセット上の島の表面拡散による崩壊過程(成長界面III)
- 27pPSA-2 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムIII(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTH-2 移動する粒子源によるステップ蛇行パターンの粗大化と新状態への緩和(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5p-L-3 ステップの蛇行とバンチングにおける非線型効果
- 21aRC-5 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムIV(21aRC 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29a-YT-4 ステップの不安定点近傍の振舞い
- 無電解電析によるフラクタル凝集体の成長実験 : 形態形成 I
- 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)開催報告(学会活動報告)
- 震災復興ののろし(会員の声)
- 6p-P-7 過飽和度による界面カイネティクスの変化のシミュレーション
- 25aCK-4 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : 粗大化と新状態への緩和(25aCK 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aCK-3 モンテカルロシミュレーションでみる表面緩和過程におけるピンチオフ現象(25aCK 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pAC-3 揺らぎによって誘起される結晶カイラリティの破れ(26pAC その他の系(パターン形成など)・その他の数理モデル・生体分子機械(小さい非平衡系を含む),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 19aFN-13 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : フェーズフィールドシミュレーション(1)(19aFN 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 27pXK-7 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : フェーズフィールドシミュレーション(2)(27pXK 領域9,領域6合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7aSN-1 ドリフト流によるシリコン(001)微斜面でのステップ列の蛇行(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 25aJB-2 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : フェーズフィールドシミュレーション(3)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7aSN-2 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化IV(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 7aSN-8 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形(3)(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 25aWD-4 3次元結晶形緩和におけるステップダイナミクス(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25aWD-1 吸着原子のドリフトによる保存系でのステップ列の蛇行(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 31p-P-15 無電界フラクタル凝集体の結晶成長実験(31pP 統計力学・物性基礎論(凝集系,フラクタル),統計力学・物性基礎論)
- 3a-P-8 通電効果による孤立ステップの不安定化とカオス(3aP 統計力学・物性基礎論(散逸系の動力学(不規則な運動,パターン形成)Complex Materialの動力学,レオロジー),統計力学・物性基礎論)