一宮 彪彦 | 名大院工
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概要
関連著者
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一宮 彪彦
名大院工
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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林 和彦
原研先端基礎研
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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林 和彦
名大院工
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青山 朋弘
名大院工
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中原 仁
名大院工
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青山 朋弘
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久田 祥之
デンソー基礎研
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向中野 信一
デンソー基礎研
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中原 仁
名大工
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秋本 晃一
名大院工
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鈴木 猛司
名大工
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名大院工
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杉山 弘
高エ研
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高橋 敏男
東大物性研
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河田 洋
高エ研
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Williams E.D.
メリーランド大
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Einstein T.L.
メリーランド大
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上羽 牧夫
名大院理
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上羽 牧夫
名大理
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Williams E.
University of Maryland
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Einstein T.
University of Maryland
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久田 祥之
株式会社デンソー
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向中野 信一
株式会社デンソー
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張 小威
高エ研
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秋本 晃一
名大工
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田尻 寛男
東大物性研
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光岡 義仁
デンソー基礎研
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鈴木 秀俊
名大院工
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Einstein T.
Univ. Maryland Maryland Usa
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鈴木 秀俊
豊田工大
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水野 義人
名大院工
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筒井 洋平
名大院工
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榎本 貴志
豊田高専
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久田 祥之
株式会社デンソー基礎研究所
著作論文
- 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
- Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
- Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
- 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
- 27pPSA-22 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析II(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYD-9 Ag/Si (111) √×√ 表面の低温構造の解析
- 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
- 20pYD-13 Si ナノピラミッドの Si 蒸着による緩和過程
- 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
- 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
- 8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 27pYF-7 6H-Sic(0001)(√×√)-R30°表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究 II(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))