青山 朋弘 | 名大工
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概要
関連著者
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青山 朋弘
名大工
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久田 祥之
デンソー基礎研
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向中野 信一
デンソー基礎研
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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株式会社デンソー
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向中野 信一
株式会社デンソー
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一宮 彪彦
名大院工
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名大院工
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高橋 敏男
東大物性研
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名大院工
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光岡 義仁
デンソー基礎研
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韓 玉杰
名大工
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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杉山 弘
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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Kek Pf
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高エ研
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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河田 洋
高エ研
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Kek物構研
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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VOEGELI Wolfgang
東大物性研
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東大物性研
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張 小威
高エ研
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KEK物構研
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名古屋大学
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一宮 彪彦
名古屋大院工
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名大工
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Wolfgang Voegeli
東大物性研
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Voegelin Wolfgang
KEK-PF
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榎本 貴志
豊田高専
著作論文
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
- 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
- 17pWD-4 SiC(0001)(√×√)-R30゜表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究
- 30aXE-1 6H-SiC(0001) 3×3再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
- 25aWB-12 SiC(0001)√×√再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
- 22pT-10 SiC(0001)表面のRHEEDロッキング曲線による研究
- 8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)