一宮 彪彦 | 名大工

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概要

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関連著者

• 一宮 彪彦

  名大工

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• 一宮 彪彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 一宮 彪彦

  名古屋大学

• 一宮 彪彦

  原子力機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構

• 深谷 有喜

  原子力機構先端基礎研

• 中原 仁

  名大工

• 河裾 厚男

  原子力機構・先端基礎研

• 林 和彦

  原研先端基礎研

• 河裾 厚男

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 中原 仁

  名大院工

• 河裾 厚男

  原子力機構先端基礎研

• 秋本 晃一

  名大院工

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所高崎研究所

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 橋本 美絵

  原子力機構先端基礎研

• 堀尾 吉巳

  名大工

• 秋本 晃一

  名工大

• 安江 常夫

  名大工

• 秋本 晃一

  名大工

• 林 和彦

  名大工

• 一宮 彪彦

  名大院工

• 大谷 俊介

  核融合研

• 一宮 彪彦

  日女大理

• 榎本 貴志

  名大工

• 鈴木 秀俊

  名大工

• 久田 祥之

  デンソー基礎研

• 向中野 信一

  デンソー基礎研

• 鈴木 秀俊

  豊田工大

• 青山 朋弘

  名大工

• 大谷 俊介

  プラズマ研

• 俵 博之

  核融合研

• 張 小威

  高エネ研物構研

• 久田 祥之

  株式会社デンソー

• 向中野 信一

  株式会社デンソー

• 張 小威

  高エ研

• 俵 博之

  クィーンズ大

• 松田 巌

  東大物性研

• 杉山 弘

  Kek Pf

• 杉山 弘

  高エ研

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 河田 洋

  Kek物構研

• 林 和彦

  名大院工

• 織田 一彦

  名大工

• 菱田 武司

  名大工

• 柴田 浩光

  名大工

• 秋本 晃一

  名古屋大学工学部

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 多賀 康訓

  豊田中研

• 榎本 貴志

  豊田工業高等専門学校

• 橋詰 富博

  日立製作所基礎研究所

• 中谷 信一郎

  東大物性研

• 河田 洋

  高エ研

• 林 和彦

  名古屋大学消化器内科

• 上羽 牧夫

  名大理

• 田尻 寛男

  JASRI

• 田尻 寛男

  東大物性研

• 田尻 寛男

  高輝度光科学研究センター

• 板垣 和夫

  三菱化学(株)筑波工場

• 林 和彦

  名古屋大学医学部消化器内科

• 石山 謙吾

  豊田中研

• 野村 晴彦

  名大工

• 張 小威

  高エ研PF

• 蟹江 智彦

  名大工

• 斉藤 弥八

  名大工

• 上田 良二

  名大工

• 橋詰 富博

  東北大金研

• 桜井 利夫

  東北大金研

• 宮田 真次

  名大工

• 吉田 泰則

  名古屋大学工学研究科

• 菊地 敏

  三菱化学(株)筑波工場

• 浪田 秀郎

  CACs(株)筑波分析センター

• 梶田 明広

  名大工

• 堀井 新司

  名大工

• 成田 尚司

  東大物性研

• 川村 隆明

  山梨大教育

• 一宮 彪彦

  日本女子大学理学部

• 西田 俊介

  名大工

• Williams E.

  University of Maryland

• Einstein T.

  University of Maryland

• 木村 正広

  阪大理

• 矢代 航

  東大新領域

• 須佐美 隆行

  名大工

• 依田 潤

  計量研

• 光岡 義仁

  デンソー基礎研

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 平野 馨一

  高エ研 PF

• 青山 朋弘

  名大院工

• Einstein T.

  Univ. Maryland Maryland Usa

• 鈴木 猛司

  名大工

• 平野 馨一

  高工研

• 鈴木 猛司

  名大院工

• 韓 玉杰

  名大工

• 山内 健治

  名大工

• 依田 潤

  計量研究所

• Kimura Masaki

  Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Ehime University

• 田中 靖

  名大 工

• 塚原 靖典

  名大工

• Lijadi Melania

  名大工

• 田中 靖

  名大工

• 安藤 光輝

  名大工

• 長谷川 修司

  東大理

• 中村 史一

  東大院理

• 金沢 育三

  東学大・物理

• 伊藤 泰男

  東大・原総センター

• 佐藤 史郎

  NHK放送技術研究所

• 杉山 弘

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 関口 雅行

  東大核研

• 山崎 泰規

  東大教養

• 二宮 史郎

  東大教養

• 村田 好正

  東大生産研

• 高村 三郎

  原研・物理

• 小谷 正博

  学習院理

• 川戸 清爾

  ソニー中研

• 福原 明

  日立中研

• 深谷 有喜

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 林 和彦

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 河裾 厚男

  原研先端基礎研

• 一宮 彪彦

  原研先端基礎研

• 深谷 有喜

  原研先端基礎研

• 林 和彦

  原研先端研

• 深谷 有喜

  原研先端研

• 河裾 厚男

  原研先端研

• 前川 雅樹

  原研先端研

• 石本 貴幸

  原研先端研

• Williams E.D.

  メリーランド大

• Einstein T.L.

  メリーランド大

• 上羽 牧夫

  名大院理

• VOEGELI Wolfgang

  東大物性研

• Vobegeli Wolfgang

  東大物性研

• 伊藤 泰男

  東京大学原子力研究総合センター

• 松田 巌

  東大理

• 原田 仁平

  名大工

• Voegeli W.

  東大物性研

• 小林 功佳

  お茶の水大理

• 安藤 正海

  高エ研

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 斎藤 弥八

  名大工

• 二宮 史郎

  大阪大学核物理研究センター

• 阿部 浩之

  東洋大工

• 矢代 航

  東大物性研

• 高木 祥示

  東邦大理

• 後藤 哲二

  東邦大理

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 岡田 漱平

  原研・物理

• 関口 雅行

  東大理

• 山崎 泰規

  東京大学大学院総合文化研究科

• 田沢 雄二

  京大理

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 大谷 俊介

  名大プラ研

• 佐藤 智重

  日本電子

• 岩槻 正志

  日本電子

• 市川 昌和

  Jrcat-atp

• 籠島 靖

  KEK-PF

• 前川 雅樹

  原子力機構・先端基礎研

• 斎藤 信雄

  NHK放送技術研究所

• 斎藤 信雄

  (株)国際電気通信基礎技術研究所

• 草野 淳一

  NHK放送技研

• 加藤 隆典

  住友重機

• 篭島 靖

  高エ研

• 高橋 功

  名大工

• 谷川 明男

  日本電気(株)マイクロエレ研

• 石山 謙吾

  豊田中研, 名大工

• 安藤 義則

  名城大理工

• Voegeli W.

  名大工

• 浦田 明晃

  名大工

• 杉山 弘

  KEK物構研

• 中村 史一

  東大理

• 城戸 望

  日本女子大理

• 鈴木 秀俊

  名大院工

• 篭島 靖

  高エ研・放射光

• 小林 功佳

  お茶の水女子大学理学部物理学科

• 城戸 望

  日本女子大学理学研究科

• 佐藤 智重

  日本電子(株)

• 末松 孝

  日本電子(株)

• 岩槻 正志

  日本電子(株)

• 上田 良二

  名城大理工

• 福原 明

  日立中央研究所

• 甕 久実

  東北大金研

• 田窪 暁

  名大工

• 水野 義人

  名大院工

• 筒井 洋平

  名大院工

• 青山 朋弘

  名古屋大院工

• 一宮 彪彦

  名古屋大院工

• 加藤 清成

  名大工

• Xue Q.K

  東北大金研

• Xue K.Q

  東北大金研

• Zhou M.J

  東北大金研

• 末岡 修

  山口大工

• 川戸 清爾

  ソニー中央研究所

• 加藤 隆典

  住友重機械工業kk

• 高橋 功

  関学理

• 小松 一元

  名大工

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 村田 好正

  東大・物性研

• 市川 昌和

  Jrcat

• 有井 達夫

  名大工学部

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著作論文

• 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
• 23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
• 28aTA-11 Si(100)表面上におけるSiの2次元アイランドの崩壊過程
• シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
• 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
• Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
• Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
• 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
• Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
• シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
• 24pW-10 Si表面上のアイランドの崩壊と2次元ガス状態 III
• 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
• 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
• 29p-J-12 Si(001)上のTiの吸着反応 : STMによる活性化エネルギーの決定
• 5p-Q-8 STMによる(001)のTiの吸着構造と反応
• 28p-PSB-20 Si(001)-2x1上のTiの初期成長過程のSTM観察
• 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
• 25p-Y-2 Si(111)√×√-Ag 表面における√×√(Au, Ag)構造の揺動
• 30a-ZD-2 Si(111)への金属蒸着のRHEED強度II
• 27p-R-7 Si(111)への金属蒸着のRHEED強度
• 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
• 5a-PS-30 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出III
• 31a-T-12 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出II
• 5a-W-8 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出
• 24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYD-7 Ga/Si(113) ナノファセットのアニールによる形態変化
• 19pPSB-42 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究
• 27aXE-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究IV
• 25aWB-6 Ga吸着したSi(113)上のナノファセット構造の研究
• 22pT-1 Ga吸着した高指数Si表面の研究 III
• 26aPS-25 Ga吸着した高指数Si表面の研究II
• 29a-PS-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究I
• 27pPSA-22 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析II(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYD-9 Ag/Si (111) √×√ 表面の低温構造の解析
• 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
• 20pYD-13 Si ナノピラミッドの Si 蒸着による緩和過程
• 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 反射高速陽電子回折による表面研究
• 28pPSB-17 エネルギ分解反射高速電子回折の研究 III
• GaAs(001)(2×4)表面上のホモエピタキシャル成長初期状態
• 電子回析(II)
• 結晶・薄膜の構造および表面分析法 : 電子回折 (I)
• 表面科学シンポジウム2001 (3'01)
• 20aRH-2 エネルギ分解反射高速電子回折の研究II
• 19pRH-4 Si(100)表面上におけるSiナノ構造の崩壊過程
• 21pTG-7 エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-6 反射高速陽電子回折によるSn吸着Ge(111)表面の3×3-√×√相転移の研究(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-5 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-24 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造相転移の研究II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pWD-4 SiC(0001)(√×√)-R30゜表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究
• 30aXE-1 6H-SiC(0001) 3×3再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 25aWB-12 SiC(0001)√×√再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 22pT-10 SiC(0001)表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 31p-S-9 rfイオントラップ中における異種イオン間の協同振動 II
• 30p-TA-2 アルカリ吸着したSi(111)表面からの電子衝撃脱離
• 4p-ZG-2 R.F.イオントラップ中における異種イオン間の協同振動
• 6a-C4-10 多価イオンと固体表面との相互作用
• 5a-B4-2 半導体表面からの電子衝撃脱離II
• 29a-O-6 アルカリハライドからのイオン脱離 V
• 27p-D-2 アルカリハライドからのイオン脱離 III
• 3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
• 31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
• X線反射率による磁性流体表面の観察
• 3a-J-8 Ag/Si界面の√3構造
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 29p-ZB-12 リニアックを用いた高強度低速陽電子ビーム開発と投下型再放出実験への応用
• 31a-S-3 多価イオンと固体表面との相互作用によるX線放出 : Mo及びTa表面
• 結晶表面の原子配列構造を知るにはどうすれば良いか? (特集:表面・界面科学研究)
• 1a-H-11 Si(113)表面へのSi蒸着III
• 25a-Y-1 Si(113)表面へのSi蒸着II
• 27p-ZS-1 Si(113)表面へのSi蒸着
• 30p-BPS-19 Si(113)清浄表面のRHEEDによる観察
• 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
• 27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
• 22pT-5 表面X線回折法によるAg/Si界面の構造
• 15a-DH-4 RHEEDによるSi(111)√×√-Ag表面の構造解析
• 5a-T-2 Si(111)7×7からのRHEED図形の動力学的計算
• 6a-B4-10 RHEEDによるSi(111)-√3×√3Ag構造の研究
• 17pWD-8 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag上のAg薄膜の結晶配向性
• 3p-B-3 電子顕微鏡像に於ける等厚干渉縞による結晶構造因子の決定
• 29pPSA-9 エネルギ分解反射高速電子回折の研究
• 31p-S-5 Si(111)√3×√3-Ag上のGeの成長
• 編集委員長をお引き受けするに当たって
• 28aTA-10 Si(100)面上の2次元島の消滅過程
• 高分解能原子間力顕微鏡による表面状態の研究
• 25aWB-10 GaAs(001)2×4構造のRHEEDロッキング曲線による解析
• 23pTA-7 Si(100)面上の島の崩壊過程
• 第2回表面物理シンポジウム(SSP'00)
• 反射電子回折法
• 30aPS-32 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 電子、陽電子回折を用いた半導体表面の原子配列の観察 (特集 放射線を利用した計測・評価技術)
• 22aYE-2 反射高速陽電子回折によるGe(111)-√×√-Sn表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25p-PS-44 H/Si(001)表面におけるRHEED強度
• 2P-E-2 Si(001)表面のRHEEDによる構造解析
• 31a-TA-4 Si(001)表面のRHEEDによる構造解析
• 29a-PS-24 エネルギーフィルター型RHEEDによるLi/Si(111)表面の研究
• RHEED パターン内の非弾性散乱成分の研究
• 3a-Q-7 反射高速電子回折における波動場II
• 14a-DJ-13 MBE成長表面からの高速電子線反射率III
• 4a-B4-6 RHEEDの運動学的計算によるSi(111)7x7表面構造の研究
• 5a-E-2 RHEEDによるSi(111)およびSi(111)√Ag表面構造解析
• 27a-Y-4 Beam Rocking法によるSi(111)表面からのKLL, LVVオージェ観察
• 30a-BE-3 Beam Rocking RHEED-AESによるSi(111)表面の観察 III
• 4a-NM-12 Beam-Rockinh-RHEED-AES法にるMgO(100)表面の観察
• 2a-NM-1 Beam Rockink RHEED-AESによるSi(III)表面の観察
• 1a-N-6 RHEED励起によるオージェ電子強度
• 26pYA-5 MOS構造界面にもたらされる格子歪
• 14a-DH-8 小型RHEED-MBE装置の試作とSi(111)上へのGeの蒸着
• X線によるSiおよびAg/Si界面の格子歪測定
• 27aY-11 X線回折法を用いたAl/Si界面の歪みの研究
• 7a-X-5 極微小角入射X線回折法を用いたSiおよびAg/Si界面の格子歪測定
• 11a-J-4 微粒子のデバイ・ワーラー因子
• 14a-DH-1 Si表面のホモエピタキシー
• 22pC6 ファセット上の島の表面拡散による崩壊過程(成長界面III)
• 29a-PS-19 Si(111)表面上のSiアイランドの崩壊過程
• 31a-PS-31 Si(111)表面上のSiアイランドの作成と崩壊過程
• 28a-T-9 Si表面上のSiアイランドの崩壊と2次元ガス状態II
• Si(111)7×7表面上の孤立島結晶の挙動
• Si表面上のSiアイランドの崩壊と2次元ガス状態
• はじめに
• シリコン表面における孤立したナノ構造の緩和過程
• 26aPS-49 Si(001)表面におけるナノ構造の形成と崩壊
• 29a-PS-38 Si(001)表面におけるナノ構造の形成と崩壊
• 31a-PS-41 RHEEDロッキング曲線によるSi(113)表面構造の解析
• 6p-X-2 反射高速電子回折(RHEED) : 動力学的理論の現状と将来
• 8a-H-10 Comparative Study of the High-and Low-Temperature Si(111)(√×√)R30°-Au Structure Using One-Beam RHEED Intensity Rocking Curve Analysis
• 7a-PS-20 Si表面からの熱脱離
• 7a-PS-18 Au蒸着によるSi表面の清浄化
• 28a-T-5 Si(111)√×√-Au上のAuの成長
• 固体表面と多価イオンとの相互作用によるX線放出II
• Si(111)√×√上のAu, Agの成長II
• 3a-Q-8 電子線回折における分域間の干渉の効果
• 30a-Y-8 入射電子線の表面波共鳴条件下でのオージェスペクトル : MgO(100)表面
• 3a-BE-4 Beam Rocking RHEED・AES法によるMgO(001)表面の観察 III
• 31a-L-4 Beam-Rocking-RHEED-AESによるMgO(100)表面の観察II
• 31a-L-9 Beam-Rocking-RHEED-AESによるSi(111)表面の観察II
• 4p-NR-3 RHEED励起によるAuger電子信号強度 II
• 5a-P-5 多波計算におけるベーテ近似
• 31p-S-1 Si(111)上のマジックアイランド
• 28p-PSB-18 Si(100)表面上に形成されたSi島状結晶の崩壊
• 5a-R-9 Si(111)表面上のシリコンクラスターの熱脱離
• 14p-DJ-8 Si(111)上のAu成長II
• 25p-Y-11 Si(111)上のAu成長
• 陽電子回折
• Si(111)√ ×√・Au および√ ×√・Ag 表面上の Au の成長 : 核生成
• 3p-K-11 Si(111)√3×√3上の Au, Ag の成長
• 29p-C-2 エピタキシャル成長中のRHEED強度と表面構造
• 5a-T-4 a-Si/Si(111)昇温過程のRHEEDによる観察
• 4a-B4-2 Si(111)上へのSiのMBE成長
• 13a-PS-3 Si(111)表面上のAu及びAg成長中のSi析出
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• 7aSL-4 反射高速電子回折における非弾性散乱電子の解析((電子線),X線・粒子線,領域10)
• タイトル無し
• 6pPSB-40 Ga/Si(113)ファセット構造の形成過程(表面界面結晶成長,領域9)
• 2p-K3-3 多価イオンによる金属表面からの二次電子放出(表面・界面)
• 28a-H-4 アルカリハライドからのイオン脱離 IV(表面・界面)
• タイトル無し
• 3a-F4-6 Si(111)表面へのLiの吸着過程(表面・界面)
• 30p-H-3 RHEED-AESによる表面構造解析 : MgO(001)表面について(表面・界面)
• 25pYF-6 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究II(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 29a-R-3 シンクロトロン放射光を用いたビスマスクラスターBi_n(n≦4)の光イオン化(29aR 原子・分子)
• 2p-G2-7 多価イオンと固体表面との相互作用(原子・分子シンポジウム)
• 29a-TJ-1 Si(111)表面上へのKの吸着構造(29aTJ 表面・界面)
• 28p-TJ-10 RHEEDによるSi(001)2x1-K表面の研究(28pTJ 表面・界面)
• 31p-A1-5 Si(111)√×√-Ag構造I : RHEED-AESによる方法(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-6 Si(111)√×√Ag構造II : RHEEDによる方法(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 29p-TJ-4 電子遷移によるアルカリハライドからの脱離過程(29pTJ 表面・界面シンポジウム:固体表面における励起脱離現象)
• 27a-H-9 Si(111)上へのアルカリ金属の吸着(表面・界面)
• 31p-A1-7 Au単結晶表面上のAgの成長(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31a-TJ-7 水素吸着したシリコン表面からの電子衝撃脱離(31aTJ 表面・界面)

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