Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV

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概要

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• The decay process of isolated silicon pyramids on Si(111)-(7×7) surface has been measured quantitatively by scanning tunneling microscopy. We find an exponent 1/4 the height evolution of the pyramid.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 林 和彦

  原研先端基礎研

• 一宮 彪彦

  名大工

• 一宮 彪彦

  名大院工

• 林 和彦

  名大院工

• Williams E.D.

  メリーランド大

• Einstein T.L.

  メリーランド大

• 上羽 牧夫

  名大院理

• 上羽 牧夫

  名大理

• Williams E.

  University of Maryland

• Einstein T.

  University of Maryland

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• Einstein T.

  Univ. Maryland Maryland Usa

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